PMCM6501VNE023
PMCM6501VNE023
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCM6501VNE023
- 商品编号
- C3283173
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、6凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 超小封装:0.98 x 1.48 x 0.35 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路