商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W |
商品概述
CLF1G0060 - 30和CLF1G0060S - 30是30 W通用宽带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),可在直流至6.0 GHz频率范围内使用。
商品特性
- 工作频率范围为直流至6.0 GHz
- 30 W通用宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管
- 出色的耐用性(电压驻波比 = 10:1)
- 高电压工作(50 V)
- 热增强型封装
应用领域
- 商用无线基础设施(蜂窝网络、全球微波互联接入)
- 工业、科学、医疗领域
- 雷达
- 宽带通用放大器
- 公共移动无线电
- 干扰器
- 电磁兼容性测试