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IMBG65R163M1HXTMA1
基于碳化硅技术的650V CoolSic MOSFET，具备高性能、高可靠性和易用性，适用于高温和恶劣环境
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R163M1HXTMA1
- 商品编号
- C3283198
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 217mΩ |
商品概述
650V CoolSiC™基于英飞凌20多年来开发的可靠碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料的特性，650V CoolSiC™ MOSFET在性能、可靠性和易用性方面实现了独特的结合。它适用于高温和恶劣的操作环境，能够以简单且经济有效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 在较高电流下具有优化的开关特性
- 具有低Qfr的换向稳健快速体二极管
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 最高结温Tj,max = 175°C，热性能优异
- 较低的导通电阻RDS(on)和脉冲电流对温度的依赖性
- 增强的雪崩能力
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可将开关损耗降低多达4倍
应用领域
- 电信和服务器开关电源
- 不间断电源
- 太阳能光伏逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- D类放大器