温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
K4A8G165WG-BCWE
8Gb G-die DDR4 SDRAMx16
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 商品型号
- K4A8G165WG-BCWE
- 商品编号
- C41368581
- 商品封装
- BGA-96
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.927878克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 3.2GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.2V | |
| 工作电流 | 42mA | |
| 刷新电流 | 20mA | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
商品特性
- JEDEC标准1.2V（1.14V~1.26V）
- VDDQ = 1.2V（1.14V~1.26V）
- 1600Mb/秒/引脚对应800MHz fCK，1866Mb/秒/引脚对应933MHz fCK，2133Mb/秒/引脚对应1067MHz fCK，2400Mb/秒/引脚对应1200MHz fCK，2666Mb/秒/引脚对应1333MHz fCK，2933Mb/秒/引脚对应1467MHz fCK，3200Mb/秒/引脚对应1600MHz f
- 16个存储体（4个存储体组）
- 可编程CAS潜伏期（后置CAS）：10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、24
- 可编程附加潜伏期：0、CL - 2或CL - 1个时钟
- 可编程CAS写潜伏期（CWL）：DDR4 - 1600为9、11；DDR4 - 1866为10、12；DDR4 - 2133为11、14；DDR4 - 2400为12、16；DDR4 - 2666为14、18