PSMN8R5-108ES
N沟道,电流:100A,耐压:108V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R5-108ES
- 商品编号
- C3283172
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 108V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.512nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 256pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 坚固耐用,适用于苛刻应用
- 标准电平栅极
应用领域
-交流转直流电源设备-电机控制-服务器电源-同步整流