2SK2111-T2-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HIP2060是一款功率半桥MOSFET阵列，由两个匹配的N沟道增强型MOS晶体管组成。该产品采用先进的英特矽尔PASIC2制程技术，利用高效的几何结构，可提供出色的器件性能和耐用性。 HIP2060旨在将两个功率器件集成在一个芯片中，从而为电机控制、不间断电源、开关电源、音圈电机和D类功率放大器等应用节省电路板布局面积和散热片。
商品特性
- 两个10A功率MOS N沟道晶体管
- 输出电压高达60V
- 当VGS = 15V时，每个晶体管的rDS(ON)最大为0.135Ω
- 当VGS = 10V时，每个晶体管的rDS(ON)最大为0.15Ω
- 脉冲电流：每个晶体管25A
- 雪崩能量：每个晶体管100mJ
- 接地散热片无需隔离散热片
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高质量级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。