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场效应管(MOSFET)
TF412T5G
引脚图
此图展示了型号为 TF412T5G 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 TF412T5G 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
TF412T5G
N沟道JFT,电流:1.2至3.0mA,耐压:30V
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
TF412T5G
商品编号
C3283202
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
10mA
阈值电压(Vgs(th))
1.5V@1uA
属性
参数值
输入电容(Ciss)
4pF@10V
反向传输电容(Crss)
1.1pF@10V
工作温度
-55℃~+50℃
类型
N沟道
数据手册PDF
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交货周期
订货115-117个工作日
购买数量
(8000个/袋,最小起订量 16000 个)
个
起订量:16000 个
8000个/袋
总价金额:
¥
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