温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+50℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 小IGSS:最大 -1.0nA(VGS = -20V,VDS = 0V)
- 小Ciss:典型值4pF(VDS = 10V,VGS = 0V,f = 1MHz)
- 超小型封装便于终端产品小型化
- 符合无卤要求
应用领域
- 低频通用放大器、阻抗转换、红外传感器应用