MTD2N40ET4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
FDZ663P采用仙童先进的1.5 V PowerTrench®工艺设计，并结合了先进的“细间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装（Thin WLCSP）工艺，最大限度地减少了印刷电路板（PCB）空间和漏源导通电阻（rDS(on)）。这种先进的WLCSP MOSFET代表了封装技术的一项突破，使该器件兼具出色的热传递特性、超薄外形（0.4 mm）、小尺寸（0.8 × 0.8 mm²）封装、低栅极电荷和低漏源导通电阻（rDS(on)）等优点。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
- 可替代MTD1N40E
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路