MTD2N40ET4
MTD2N40ET4
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTD2N40ET4
- 商品编号
- C3283253
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案,在不随时间降低性能的情况下,提供增强的耐压能力。此外,这款先进的高压MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计,特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
- 可替代MTD1N40E
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路