商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT457（SC-74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 2 kV静电放电（ESD）保护
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路