RF1S9640SM9A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 375pF |
商品概述
- 低噪声、高增益-原装双塑封封装
商品特性
- 低噪声系数和高相关增益 典型值 NF = 0.42 dB，典型值 Ga = 12.2 dB。@VDS = 2V，ID = 10mA，f = 12GHz
应用领域
- 直播卫星低噪声下变频器（DBS LNB）增益级、混频级
- 微波通信系统低噪声放大器
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