PMZB200UNE315
N沟道,电流:1.4A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZB200UNE315
- 商品编号
- C3283164
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 760mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无引脚超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 开关速度极快
- 低阈值电压
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护：2 kV HBM
- 封装厚度仅 0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路