PMV25ENEA215
N沟道,电流:5.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV25ENEA215
- 商品编号
- C3283167
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 597pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT23（TO-236AB）表面贴装塑料封装中。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快的切换速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 > 2 kV HBM
- AEC-Q101认证
应用领域
- 继电器驱动
- 高速线路驱动
- 低侧负载开关
- 开关电路
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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