PMXB350UPE147
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 447mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 930mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 116pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16.5pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010D - 3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 无引脚超小超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 静电放电(ESD)保护1 kV HBM
- 漏源导通电阻RDSon = 350 mΩ
应用领域
-便携式设备的高端负载开关和充电开关-电池供电便携式设备的电源管理-LED驱动器-直流-直流转换器