2SK3326(9)AZ
商品参数
参数完善中
商品概述
2SK3326是一款N沟道DMOS场效应晶体管,具有低栅极电荷和出色的开关特性,专为开关电源、交流适配器等高电压应用而设计。
商品特性
- 低栅极电荷:QG = 22 nC(典型值)(VDD = 400 V,VGS = 10 V,ID = 10 A)
- 栅极电压额定值:±30 V
- 低导通电阻:RDS(on) = 0.85 Ω(最大值)(VGS = 10 V,ID = 5.0 A)
- 雪崩能力额定值
- 绝缘型TO - 220(MP - 45F)封装
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-其他电感负载