2SK3326(9)AZ
商品参数
参数完善中
商品概述
这款先进的TMOS功率场效应晶体管（FET）设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、转换器、PWM电机控制和其他电感负载中的高压、高速开关应用而设计。规定雪崩能量能力可消除电感负载开关设计中的不确定性，并针对意外电压瞬变提供额外的安全余量。
商品特性
- 低栅极电荷:QG = 22 nC(典型值)(VDD = 400 V,VGS = 10 V,ID = 10 A)
- 栅极电压额定值:±30 V
- 低导通电阻:RDS(on) = 0.85 Ω(最大值)(VGS = 10 V,ID = 5.0 A)
- 雪崩能力额定值
- 绝缘型TO - 220(MP - 45F)封装
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-其他电感负载