2SJ328-Z-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 额定周期性雪崩耐量
- 额定极高 dv/dt 耐量
- 超低有效电容
- 改善的跨导
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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