2SJ471-E
P通道MOSFET,电流:-30A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ471-E
- 商品编号
- C3283123
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该产品已根据适用的AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。