NTNS3C68NZT5G
单个N沟道MOSFET,电流:758mA,耐压:12V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS3C68NZT5G
- 商品编号
- C3283111
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 758mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 156mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 67pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 单N沟道MOSFET
- 超薄型SOT - 883 (XDFN3)封装,尺寸为1.0 x 0.6 x 0.4 mm,适用于如便携式电子产品等超薄环境
- 超小1.0 x 0.6 mm封装的低导通电阻(RDS(on))解决方案
- 1.8 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-高速接口-电平转换和翻译-针对超便携解决方案中的电源管理进行优化