NTNS41006PZTCG
单P沟道,电流:-130mA,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS41006PZTCG
- 商品编号
- C3283112
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 121mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 单P沟道MOSFET
- 超小超薄封装(0.62 × 0.62 × 0.4 mm)
- 0.62 × 0.62 mm封装下的低导通电阻(RDS(on))解决方案
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 小信号负载开关
- 模拟开关
- 专为超便携产品的电源管理优化