NTND31200PZTAG
双P沟道,电流:-127mA,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTND31200PZTAG
- 商品编号
- C3283039
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 166mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8pF |
商品概述
CLF1G0060 - 30和CLF1G0060S - 30是30 W通用宽带氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），可在直流至6.0 GHz频率范围内使用。
商品特性
- 工作频率范围为直流至6.0 GHz
- 30 W通用宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管
- 出色的耐用性（电压驻波比 = 10:1）
- 高电压工作（50 V）
- 热增强型封装
应用领域
- 商用无线基础设施（蜂窝网络、全球微波互联接入）
- 工业、科学、医疗领域
- 雷达
- 宽带通用放大器
- 公共移动无线电
- 干扰器
- 电磁兼容性测试