2SK2595AXTB-E
N沟道MOSFET,电流:1.1A,耐压:17V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2595AXTB-E
- 商品编号
- C3282891
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 17V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 68pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@12V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
应用领域
- 计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备