2SK1959-T1-AZ
N沟道 MOSFET,电流:1.0A,耐压:16V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1959-T1-AZ
- 商品编号
- C3282984
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@3V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
应用领域
- 标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。