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场效应管(MOSFET)
ON5520215
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对比
ON5520215
N沟道,电流:300mA,耐压:60V
SMT
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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
ON5520215
商品编号
C3283006
包装方式
编带
商品毛重
0.274克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
300mA
导通电阻(RDS(on))
5Ω@10V
耗散功率(Pd)
830mW
阈值电压(Vgs(th))
2.1V@0.25mA
属性
参数值
输入电容(Ciss)
50pF
反向传输电容(Crss)
10pF
工作温度
-65℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
30pF
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