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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CPH6312-TL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些功率MOSFET器件能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。Micro8器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。典型应用包括直流-直流转换器，以及计算机、打印机、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。它们还可用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制。规定了雪崩能量，以消除感性负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 低导通电阻。
- 高速开关。
- 4V驱动。
应用领域
- 直流-直流转换器-计算机、打印机、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理-磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制