2SK1167-E
N通道MOSFET,电流:15A,耐压:450V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1167-E
- 商品编号
- C3282997
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- 漏源击穿电压（VDSS）：500V
- 导通电阻（rDS (ON)）（最大值）：0.64Ω
- 漏极电流（ID）：14A
- 隔离电压（Viso）：2000V
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高质量级:运输设备(汽车、火车、船舶等)、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。