商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF |
商品特性
- QS5U34在单个TSMT5封装中集成了N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管。
- 低导通电阻，开关速度快。
- 低电压驱动（1.8V）。
- 独立连接的肖特基势垒二极管具有低正向电压。
应用领域
- 负载开关
- DC / DC转换