MTY30N50E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
2SK2365、2SK2365-Z/2SK2366、2SK2366-Z是专为高压开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 2SK2365：漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.5 Ω（栅源电压 (VGS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 5.0 A）
- 2SK2366：漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.6 Ω（栅源电压 (VGS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 5.0 A）
- 低输入电容 (Ciss)，输入电容 (Ciss) 典型值为1600 pF
- 高雪崩能力额定值
- 采用隔离式TO - 220封装