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场效应管(MOSFET)
MTY30N50E
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此图展示了型号为 MTY30N50E 的引脚布局
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此图展示了型号为 MTY30N50E 的焊盘布局
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对比
MTY30N50E
N沟道,电流:30A,耐压:500V
SMT
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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTY30N50E
商品编号
C3282951
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
150mΩ@10V
耗散功率(Pd)
300W
阈值电压(Vgs(th))
4V@250uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
350nC@10V
输入电容(Ciss)
10.08nF
反向传输电容(Crss)
250pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
1.2nF
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