MTY30N50E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
2SK2365、2SK2365-Z/2SK2366、2SK2366-Z是专为高压开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 二极管特性适用于桥式电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路