我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
预售商品
MTY30N50E实物图
  • MTY30N50E商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MTY30N50E

N沟道,电流:30A,耐压:500V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTY30N50E
商品编号
C3282951
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)350nC@10V
输入电容(Ciss)10.08nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.2nF

商品概述

2SK2365、2SK2365-Z/2SK2366、2SK2366-Z是专为高压开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 2SK2365:漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.5 Ω(栅源电压 (VGS) = 10 V,漏极电流 (ID) = 5.0 A)
  • 2SK2366:漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.6 Ω(栅源电压 (VGS) = 10 V,漏极电流 (ID) = 5.0 A)
  • 低输入电容 (Ciss),输入电容 (Ciss) 典型值为1600 pF
  • 高雪崩能力额定值
  • 采用隔离式TO - 220封装

数据手册PDF