商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用了摩托罗拉的高单元密度HDTMOS工艺。低导通电阻rDS(on)可确保功率损耗最小化并节省能源，使该器件非常适合用于小型电源管理电路。
商品特性
- 保证抗雪崩能力。
- 通过采用沟槽结构降低导通电阻。
- 4V低压驱动。
应用领域
-娱乐用DC/DC转换器-电动自行车-风扇电机-通用电机驱动器