FS14KM-10A#B00
商品参数
参数完善中
商品概述
IRF6655PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在与micro-8封装尺寸相近且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻和栅极电荷组合。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统的热传递效率，将先前最佳热阻降低80%。 IRF6655PbF针对隔离式DC - DC应用中的低功率初级侧桥拓扑进行了优化，适用于宽范围通用电信系统（36V - 75V）中非隔离式同步降压DC - DC应用的高端控制FET插槽，以及稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流。该器件降低的总损耗与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使其成为高性能隔离式DC - DC转换器的理想选择。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅（可承受高达260°C回流焊）
- 特定应用MOSFET
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
- 高性能隔离式转换器初级开关插槽
- 36V - 75V同步降压应用中的控制FET插槽
- 隔离式DC - DC应用中的低功率初级侧桥拓扑
- 宽范围通用电信系统（36V - 75V）中非隔离式同步降压DC - DC应用的高端控制FET插槽
- 稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流