FS14KM-10A#B00

IRF6655PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在与micro-8封装尺寸相近且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻和栅极电荷组合。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统的热传递效率，将先前最佳热阻降低80%。 IRF6655PbF针对隔离式DC - DC应用中的低功率初级侧桥拓扑进行了优化，适用于宽范围通用电信系统（36V - 75V）中非隔离式同步降压DC - DC应用的高端控制FET插槽，以及稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流。该器件降低的总损耗与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使其成为高性能隔离式DC - DC转换器的理想选择。

• 漏源击穿电压(VDSS):500V
• 导通电阻(rDS (ON))(最大值):0.64Ω
• 漏极电流(ID):14A
• 隔离电压(Viso):2000V

• 开关模式电源(SMPS)
• 直流-直流转换器(DC-DC Converter)
• 电池充电器
• 打印机电源
• 复印机
• 硬盘驱动器(HDD)
• 软盘驱动器(FDD)
• 电视
• 录像机(VCR)
• 个人电脑