2SK2158-L-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω@1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 高速开关
- 能够进行4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度贴装
- 低导通电阻
- 导通电阻（RDS(on)）典型值为9.2 mΩ（VGS = 10 V时）
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。