3LN01CPA-TB-E
N沟道,电流:0.15A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 3LN01CPA-TB-E
- 商品编号
- C3282968
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.8Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 低电压驱动。
- 表面贴装型器件，可实现以下功能：
- 减少应用2SJ277的设备的制造工序数量。
- 适用于高密度表面贴装应用。
- 减小应用2SJ277的设备的尺寸。
应用领域
- 超高速开关应用