温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN6068LK3Q-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:8.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC - Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、变压器驱动开关、DC - DC 转换器、电源管理功能、不间断电源。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6068LK3Q-13
- 商品编号
- C3282904
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52928克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V；100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 502pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45.7pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
相似推荐
其他推荐