TPIC5421LDW
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 475mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 275pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
TPIC5421L是一款单片式栅极保护逻辑电平功率DMOS阵列,由四个电气隔离的N沟道增强型DMOS晶体管组成,其中两个采用共源极配置。每个晶体管均集成了大电流齐纳二极管(ZCxa和ZCxb),可在出现过应力情况时防止栅极损坏。使用100 pF电容与1.5 kΩ电阻串联的人体模型进行测试时,这些齐纳二极管还能提供高达4000 V的静电放电(ESD)保护。 TPIC5421L提供20引脚宽体表面贴装(DW)封装和16引脚热增强型双列直插(NE)封装,其工作温度范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 低导通电阻rDS(on) ... 典型值0.4 Ω
- 输出电压 ... 60 V
- 输入保护电路 ... 18 V
- 脉冲电流 ... 每通道3 A
- 增强型ESD能力 ... 4000 V
- 直接逻辑电平接口
应用领域
- 结合有效的外围续流电路，对阻性、容性和感性负载进行开关操作
- 替代机电继电器
- 最适用于大电流应用，如启停系统、电力分配、主开关、加热系统
- 低频PWM应用