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IPU60R1K4C6

600V,电流:3.2A,耐压:600V

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPU60R1K4C6
商品编号: C3282916
商品封装: TO-251
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

HEXFET技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新的“先进技术”设计具有高效的几何结构和独特的工艺，实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；出色的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层,无卤模塑料
根据 JEDEC(J-STD20 和 JESD22)标准,适用于工业级应用

应用领域

功率因数校正(PFC)级
硬开关脉宽调制(PWM)级
谐振开关 PWM 级,例如用于个人电脑电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	3.2A
	导通电阻(RDS(on))	1.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	28.4W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	9.4nC@10V
	输入电容(Ciss)	200pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	16pF