2SK2499-Z-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 770pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
CLF1G0035 - 50和CLF1G0035S - 50是采用第一代氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术的宽带通用50 W放大器。工作频率范围为直流至3.5 GHz。
商品特性
- 工作频率范围为直流至3.5 GHz
- 50 W通用宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管
- 出色的耐用性（电压驻波比10:1）
- 高电压工作（50 V）
- 散热增强型封装
应用领域
- 商用无线基础设施（蜂窝网络、全球微波互联接入）
- 工业、科学、医疗领域
- 雷达
- 干扰器
- 宽带通用放大器
- 电磁兼容性测试
- 公共移动无线电