FDP039N08B
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A条件下,RDS(on) = 3.16 mΩ(典型值)
- 品质因数RDS(on) * QG较低
- 反向恢复电荷低,Qrr = 87.9 nC
- 体二极管具有软反向恢复特性
- 可实现同步整流的高效率
- 开关速度快
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源