FDP039N08B
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- RDS(on) = 2.67 mΩ（典型值），VGS = 10 V， ID = 100 A
- 低品质因数RDS(on) * Q_G
- 低反向恢复电荷，Q_rr = 78 nC
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 快速开关速度
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统