UPA2714GR-E1-A
P沟道,电流:7A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2714GR-E1-A
- 商品编号
- C3282919
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术的塑料封装中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该产品已按照相应的AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 标准级:计算机;办公设备;通信设备;测试与测量设备;视听设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;以及工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等);交通控制系统;防灾系统;防犯罪系统;安全设备;以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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