商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V | |
| 耗散功率(Pd) | 526W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 1.16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 内部输入和输出匹配,适用于宽带操作且使用方便
- 器件可用于单端、推挽或正交配置
- 最高可在55 VDD电压下正常工作
- 高耐用性,可承受大于20:1的电压驻波比(VSWR)
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类操作和栅极电压脉冲
- 推荐驱动器:MRFE6VS25N(25 W)或MRF6V10010N(10 W)
- 纳入恩智浦(NXP)产品长寿计划,产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 敌我识别(IFF)
- 二次监视雷达
- 广播式自动相关监视(ADS - B)应答机
- 测距仪(DME)
- 其他复杂脉冲链