2SJ277-DL-E
商品参数
参数完善中
商品概述
IRF6721SPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有MICRO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了80%。 IRF6721SPbF在低电阻和低电荷之间取得平衡，同时具有超低的封装电感，可降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6721SPbF针对同步降压操作中至关重要的参数进行了优化，这些参数包括12伏总线转换器中的Rds(on)和栅极电荷，以最大限度地减少损耗。
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 低电压驱动。
- 表面贴装型器件,可实现以下功能:
- 减少应用2SJ277的设备的制造工序数量。
- 适用于高密度表面贴装应用。
- 减小应用2SJ277的设备的尺寸。
应用领域
-超高速开关应用