BSC050N0LSG
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）支持。
商品特性
- 针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 符合JEDEC标准,适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
应用领域
- 电机控制-变压器驱动开关-DC-DC转换器-电源管理功能-不间断电源