温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2025U-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.6A
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2025U-7
- 商品编号
- C3282908
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
相似推荐
其他推荐