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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.524nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 544pF |
商品概述
这款P沟道1.8V特定MOSFET采用先进的低压功率沟槽工艺,针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 8 A,-20 V;VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 20 mΩ
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 25 mΩ
- VGS = -1.8 V时,RDS(ON) = 35 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 开关速度快
- FLMP SuperSOT-6封装:在行业标准封装尺寸下增强热性能
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护