商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 极低噪声系数
- 大|Yfs|值
- 低栅极泄漏电流
- 小尺寸封装,可缩小使用场效应管(FET)设备的体积
应用领域
-低频放大器-低噪声应用-模拟开关-阻抗转换-高频放大器-高压开关-高速开关