商品参数
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商品概述
这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET,经过设计、测试,并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于诸如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器,以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 2.2A和2.5A、450V和500V
- rDS(ON) = 3.0Ω和4.0Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
- 高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器