商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 针对 5V 驱动器应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 低开关品质因数（FOMsw），适用于高频开关电源（SMPS）
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 极低的导通电阻（VGS = 4.5 V 时的 RDS(on)）
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用
- 优异的热阻性能
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品