MTP20N06V
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)）
- 低电容
- 优化的栅极电荷
- 适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用的 NVMFS 前缀；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准