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IPB093N04LG
N沟道,电流:50A,耐压:40V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB093N04LG
- 商品编号
- C3282798
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 适用于开关电源的快速开关MOSFET
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤