SPP02N80C3
N沟道,电流:2A,耐压:800V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP02N80C3
- 商品编号
- C3282831
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@120uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@640V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- SCH2401在同一封装中集成了两个N沟道MOSFET元件，从而实现高密度安装。
- 低导通电阻。
- 高速开关。
- 2.5V驱动。
- 高ESD电压（典型值300V）[栅源极间内置单侧保护二极管]。