IRF6655TRPBF
N沟道,电流:4.2A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6655TRPBF
- 商品编号
- C3282840
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
IRF6655PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合,在与micro-8封装尺寸相近且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻和栅极电荷组合。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时,DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热,可最大限度地提高电力系统的热传递效率,将先前最佳热阻降低80%。 IRF6655PbF针对隔离式DC - DC应用中的低功率初级侧桥拓扑进行了优化,适用于宽范围通用电信系统(36V - 75V)中非隔离式同步降压DC - DC应用的高端控制FET插槽,以及稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流。该器件降低的总损耗与高水平的热性能相结合,可实现高效率和低温运行,这对于提高系统可靠性至关重要,使其成为高性能隔离式DC - DC转换器的理想选择。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅(可承受高达260°C回流焊)
- 特定应用MOSFET
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型(<0.7mm)
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
- 高性能隔离式转换器初级开关插槽
- 36V - 75V同步降压应用中的控制FET插槽
- 隔离式DC - DC应用中的低功率初级侧桥拓扑
- 宽范围通用电信系统(36V - 75V)中非隔离式同步降压DC - DC应用的高端控制FET插槽
- 稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流