IRF6655TRPBF
N沟道,电流:4.2A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6655TRPBF
- 商品编号
- C3282840
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅(可承受高达260°C回流焊)
- 特定应用MOSFET
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型(<0.7mm)
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
- 高性能隔离式转换器初级开关插槽
- 36V - 75V同步降压应用中的控制FET插槽
- 隔离式DC - DC应用中的低功率初级侧桥拓扑
- 宽范围通用电信系统(36V - 75V)中非隔离式同步降压DC - DC应用的高端控制FET插槽
- 稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流