IPI65R150CFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:22.4A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI65R150CFD
- 商品编号
- C3282838
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 195.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@900uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件兼具快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还具备极快速且耐用的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的耐用性相结合，使得该器件尤其适用于谐振开关应用，能让应用更加可靠、高效、轻便且散热更佳。
商品特性
- 超快体二极管
- 极高的换相耐用性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
- 易于使用/驱动
- 符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准
- 无铅镀层，模塑料无卤素
应用领域
- 650V CoolMOS CFD2特别适用于谐振开关PWM级，例如用于个人电脑电源、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。