MTV32N25E
N沟道,电流:32A,耐压:250V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTV32N25E
- 商品编号
- C3282837
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF |
商品概述
D3PAK封装能够容纳任何标准塑料表面贴装功率半导体中尺寸最大的芯片。这使其可用于需要更高功率和更低导通电阻(RDS(on))的表面贴装元件的应用。这款高压MOSFET采用先进的终端结构,可在不随时间降低性能的情况下增强电压阻断能力。此外,这款先进的TMOS E-FET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。专为表面贴装PWM电机控制以及交直流和直流电源中的低压、高速开关应用而设计。这些器件特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并能针对意外电压瞬变提供额外的安全余量。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
- 短散热片引脚为制造而非剪切工艺
- 专为实现最大功率耗散而设计的引线框架
- 提供24mm、13英寸/500个单位的卷带和卷盘包装,型号后缀加 -RL
应用领域
-表面贴装PWM电机控制-交直流和直流电源-桥式电路