MTV32N25E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF |
商品特性
- 低导通电阻
- RDS = 1.26 Ω（典型值）(VGS = 10 V, ID = 150 mA)
- RDS = 2.8 Ω（典型值）(VGS = 4 V, ID = 50 mA)
- 4 V栅极驱动器件
- 小型封装（MPAK）