MTV32N25E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF |
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
- 短散热片引脚为制造而非剪切工艺
- 专为实现最大功率耗散而设计的引线框架
- 提供24mm、13英寸/500个单位的卷带和卷盘包装,型号后缀加 -RL
应用领域
-表面贴装PWM电机控制-交直流和直流电源-桥式电路